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2N7000RLRAG

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

原厂封装：TO-92-3

优势价格，2N7000RLRAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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2N7000RLRAG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：2N7000RLRAG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V

功率 - 最大值：350mW

安装类型：通孔

ON安森美封装：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

器件封装：TO-92-3

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