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2SK4066-1E
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2SK4066-1E技术资料
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2SK4066-1E
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 100A
原厂封装:
TO-262-3
优势价格,2SK4066-1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SK4066-1E的技术资料下载
2SK4066-1E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:2SK4066-1E
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 60V 100A
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):12500pF @ 20V
功率 - 最大值:1.65W
安装类型:通孔
ON安森美封装:TO-262-3 整包, I2Pak
器件封装:TO-262-3
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