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3LN01C-TB-E
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3LN01C-TB-E价格
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3LN01C-TB-E技术资料
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3LN01C-TB-E
FET - 单
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
原厂封装：
*
优势价格，3LN01C-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
3LN01C-TB-E的技术资料下载
3LN01C-TB-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: 3LN01C-TB-E
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 150mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3.7 欧姆 @ 80mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 7pF @ 10V
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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