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5HN01C-TB-E
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5HN01C-TB-E技术资料
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5HN01C-TB-E
FET - 单
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
原厂封装:
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
优势价格,5HN01C-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
5HN01C-TB-E的技术资料下载
5HN01C-TB-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: 5HN01C-TB-E
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
系列: *
FET 类型:
FET 功能:
漏源极电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):
功率 - 最大值:
安装类型:
ON安森美封装:
器件封装:
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