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5LN01C-TB-E的图片

5LN01C-TB-E

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

原厂封装：3-CP

优势价格，5LN01C-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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5LN01C-TB-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：5LN01C-TB-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.8 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6.6pF @ 10V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

器件封装：3-CP

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