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BUB323ZG
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BUB323ZG技术资料
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BUB323ZG
单路晶体管(BJT)
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,BUB323ZG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BUB323ZG的技术资料下载
BUB323ZG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:BUB323ZG
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
系列:-
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
电压 - 集射极击穿(最大值):350V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.7V @ 250mA,10A
电流 - 集电极截止(最大值):100μA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):500 @ 5A,4.6V
功率 - 最大值:150W
频率 - 跃迁:2MHz
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
器件封装:D2PAK
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