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BVSS138LT1G的图片

BVSS138LT1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

原厂封装：SOT-23-3

优势价格，BVSS138LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BVSS138LT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：BVSS138LT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：50V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：200mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 200mA，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V

功率 - 最大值：225mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

器件封装：SOT-23-3

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