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ECH8619-TL-E的图片

ECH8619-TL-E

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

原厂封装：8-ECH

优势价格，ECH8619-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ECH8619-TL-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：ECH8619-TL-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A，2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：93 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 20V

功率 - 最大值：1.5W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-SMD，扁平引线

器件封装：8-ECH

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场

ECH8653-TL-H

场

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NGTB30N120IHLWG

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单路﹐预偏压式晶体管

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