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FW231A-TL-E
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FW231A-TL-E技术资料
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FW231A-TL-E
FET - 阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，FW231A-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FW231A-TL-E的技术资料下载
FW231A-TL-E的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: FW231A-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor（已被安森美收购）
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 23 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1530pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.3W
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
器件封装: 8-SOP
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