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MC14023BDR2G
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MC14023BDR2G技术资料
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MC14023BDR2G
栅极和逆变器芯片
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IC GATE NAND 3CH 3-INP 14-SOIC
原厂封装：
14-SOICN
优势价格，MC14023BDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MC14023BDR2G的技术资料下载
MC14023BDR2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：MC14023BDR2G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：IC GATE NAND 3CH 3-INP 14-SOIC
系列：4000B
逻辑类型：与非门
电路数：3
输入数：3
特性：-
电压 - 电源：3 V ~ 18 V
电流 - 静态（最大值）：1μA
电流 - 输出高，低：8.8mA，8.8mA
逻辑电平 - 低：1.5 V ~ 4 V
逻辑电平 - 高：3.5 V ~ 11 V
不同 V、最大 CL 时的最大传播延迟：100ns @ 15V，50pF
工作温度：-55°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
器件封装：14-SOICN
ON安森美封装：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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