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MMBF4393LT3G技术资料
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MMBF4393LT3G
JFET结点场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
JFET N-CH 30V 225MW SOT23
原厂封装:
SOT-23-3
优势价格,MMBF4393LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMBF4393LT3G的技术资料下载
MMBF4393LT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:MMBF4393LT3G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 30V 225MW SOT23
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
漏源极电压 (Vdss):30V
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):5mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14pF @ 15V
电阻 - RDS(开):100 欧姆
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
器件封装:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:225mW
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