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MMUN2114LT3G
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MMUN2114LT3G技术资料
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MMUN2114LT3G
单路﹐预偏压式晶体管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
原厂封装：
SOT-23-3
优势价格，MMUN2114LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MMUN2114LT3G的技术资料下载
MMUN2114LT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：MMUN2114LT3G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
系列：-
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：246mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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