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NCP5106BDR2G
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NCP5106BDR2G技术资料
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NCP5106BDR2G
外部开关MOSFET，电桥驱动器
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，NCP5106BDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NCP5106BDR2G的技术资料下载
NCP5106BDR2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NCP5106BDR2G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
系列：-
配置：半桥
输入类型：非反相
延迟时间：100ns
电流 - 峰值：250mA
配置数：1
输出数：2
高压侧电压 - 最大值（自举）：600V
电压 - 电源：10 V ~ 20 V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
器件封装：8-SOIC N
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