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NDBA180N10BT4H的图片

NDBA180N10BT4H

FET - 单

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

原厂封装：*

优势价格，NDBA180N10BT4H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NDBA180N10BT4H的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NDBA180N10BT4H

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 180A DPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.8 毫欧 @ 50A，15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 95nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6950pF @ 50V

功率 - 最大值: 200W

安装类型: *

ON安森美封装: *

器件封装: *

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