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NDD60N360U1-1G的图片

NDD60N360U1-1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

原厂封装：I-Pak

优势价格，NDD60N360U1-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NDD60N360U1-1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NDD60N360U1-1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 50V

功率 - 最大值：114W

安装类型：通孔

ON安森美封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

器件封装：I-Pak

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