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NDD60N360U1T4G
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NDD60N360U1T4G技术资料
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NDD60N360U1T4G
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
原厂封装：
DPAK-3
优势价格，NDD60N360U1T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDD60N360U1T4G的技术资料下载
NDD60N360U1T4G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NDD60N360U1T4G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 50V
功率 - 最大值：114W
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
器件封装：DPAK-3
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