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NDD60N900U1-1G的图片

NDD60N900U1-1G

FET - 单

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

原厂封装：*

优势价格，NDD60N900U1-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NDD60N900U1-1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NDD60N900U1-1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 900 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 360pF @ 50V

功率 - 最大值: 74W

安装类型: *

ON安森美封装: *

器件封装: *

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