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NDTL01N60ZT1G

FET - 单

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

原厂封装：TO-261-4，TO-261AA

优势价格，NDTL01N60ZT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NDTL01N60ZT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NDTL01N60ZT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 250mA（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 15 欧姆 @ 400mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 4.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 92pF @ 25V

功率 - 最大值: 2W

安装类型: 表面贴装

ON安森美封装: TO-261-4，TO-261AA

器件封装: SOT-223（TO-261）

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