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NDTL01N60ZT3G
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NDTL01N60ZT3G技术资料
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NDTL01N60ZT3G
FET - 单
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
原厂封装:
TO-261-4,TO-261AA
优势价格,NDTL01N60ZT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NDTL01N60ZT3G的技术资料下载
NDTL01N60ZT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NDTL01N60ZT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 250mA(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 15 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 92pF @ 25V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: TO-261-4,TO-261AA
器件封装: SOT-223(TO-261)
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