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NE5230DR2G的图片

NE5230DR2G

运算放大器，缓冲放大器芯片

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

优势价格，NE5230DR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NE5230DR2G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NE5230DR2G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC

系列：-

放大器类型：通用

电路数：1

输出类型：满摆幅

压摆率：0.25 V/μs

增益带宽积：600kHz

-3db 带宽：-

电流 - 输入偏置：40nA

电压 - 输入失调：400μV

电流 - 电源：1.1mA

电流 - 输出/通道：32mA

电压 - 电源，单/双 (±)：1.8 V ~ 15 V， ±0.9 V ~ 7.5 V

工作温度：0°C ~ 70°C

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

器件封装：8-SOIC N

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