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NGTB10N60R2DT4G
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NGTB10N60R2DT4G技术资料
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NGTB10N60R2DT4G
IGBT - 单路
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IGBT 10A 600V DPAK
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，NGTB10N60R2DT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB10N60R2DT4G的技术资料下载
NGTB10N60R2DT4G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NGTB10N60R2DT4G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: IGBT 10A 600V DPAK
系列: -
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，10A
功率 - 最大值: 72W
开关能量: 412μJ（开），140μJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 53nC
25°C 时 Td（开/关）值: 48ns/120ns
测试条件: 300V，10A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 90ns
ON安森美封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型: 表面贴装
器件封装: DPAK
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