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NGTB30N120L2WG的图片

NGTB30N120L2WG

单路IGBT

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：IGBT 1200V 60A 534W TO247

原厂封装：TO-247

优势价格，NGTB30N120L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NGTB30N120L2WG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NGTB30N120L2WG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 534W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，30A

功率 - 最大值：534W

Switching Energy：4.4mJ （开）， 1.4mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：310nC

25°C 时 Td（开/关）值：116ns/285ns

Test Condition：600V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：450ns

ON安森美封装：TO-247-3

安装类型：通孔

器件封装：TO-247

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