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NGTB30N60SWG
单路IGBT
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IGBT 600V 60A 189W TO247
原厂封装：
TO-247
优势价格，NGTB30N60SWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB30N60SWG的技术资料下载
NGTB30N60SWG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NGTB30N60SWG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：IGBT 600V 60A 189W TO247
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A
Current - Collector Pulsed (Icm)：120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，30A
功率 - 最大值：189W
Switching Energy：750μJ（开）， 540μJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：90nC
25°C 时 Td（开/关）值：57ns/109ns
Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：200ns
ON安森美封装：TO-247-3
安装类型：通孔
器件封装：TO-247
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