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NGTB30N65IHL2WG
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NGTB30N65IHL2WG技术资料
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NGTB30N65IHL2WG
IGBT - 单路
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
IGBT 600V 70A 300W TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，NGTB30N65IHL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB30N65IHL2WG的技术资料下载
NGTB30N65IHL2WG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NGTB30N65IHL2WG
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: IGBT 600V 70A 300W TO247
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.2V @ 15V，30A
功率 - 最大值: 300W
开关能量: 200μJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 135nC
25°C 时 Td（开/关）值: -/145ns
测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 430ns
ON安森美封装: TO-247-3
安装类型: 表面贴装
器件封装: TO-247-3
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