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NGTB40N60L2WG技术资料
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NGTB40N60L2WG
单路IGBT
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
IGBT 600V 80A 417W TO247
原厂封装:
TO-247
优势价格,NGTB40N60L2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NGTB40N60L2WG的技术资料下载
NGTB40N60L2WG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NGTB40N60L2WG
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:IGBT 600V 80A 417W TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
Current - Collector Pulsed (Icm):160A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.61V @ 15V,40A
功率 - 最大值:417W
Switching Energy:1.17mJ(开), 280μJ(关)
输入类型:标准
Gate Charge:228nC
25°C 时 Td(开/关)值:98ns/213ns
Test Condition:400V, 40A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):73ns
ON安森美封装:TO-247-3
安装类型:通孔
器件封装:TO-247
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