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NSBA114EDP6T5G的图片

NSBA114EDP6T5G

阵列﹐预偏压式晶体管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

原厂封装：SOT-963

优势价格，NSBA114EDP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NSBA114EDP6T5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NSBA114EDP6T5G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

系列：-

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：10k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：338mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：SOT-963

器件封装：SOT-963

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