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NSTR4501NT1G的图片

NSTR4501NT1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

原厂封装：SOT-23-3

优势价格，NSTR4501NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NSTR4501NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NSTR4501NT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：200pF @ 10V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

器件封装：SOT-23-3

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