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NSVBA114EDXV6T1G的图片

NSVBA114EDXV6T1G

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

原厂封装：*

优势价格，NSVBA114EDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NSVBA114EDXV6T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NSVBA114EDXV6T1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

系列: -

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 10k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 35 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: *

ON安森美封装: *

器件封装: *

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