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NSVBC114EPDXV6T1G
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NSVBC114EPDXV6T1G价格
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NSVBC114EPDXV6T1G技术资料
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NSVBC114EPDXV6T1G
晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
原厂封装：
SOT-563，SOT-666
优势价格，NSVBC114EPDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVBC114EPDXV6T1G的技术资料下载
NSVBC114EPDXV6T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVBC114EPDXV6T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS NPN/PNP BIAS SOT563
系列: -
晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 35 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 500mW
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: SOT-563，SOT-666
器件封装: SOT-563
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