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NSVBSP19AT1G
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NSVBSP19AT1G技术资料
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NSVBSP19AT1G
晶体管（BJT） - 单路
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
原厂封装：
TO-261-4，TO-261AA
优势价格，NSVBSP19AT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVBSP19AT1G的技术资料下载
NSVBSP19AT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVBSP19AT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
系列: -
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 350V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）: 500mV @ 4mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 20nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 40 @ 20mA，10V
功率 - 最大值: 800mW
频率 - 跃迁: 70MHz
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: TO-261-4，TO-261AA
器件封装: SOT-223（TO-261）
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