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NSVBSS63LT1G
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NSVBSS63LT1G技术资料
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NSVBSS63LT1G
晶体管(BJT) - 单路
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
原厂封装:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势价格,NSVBSS63LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVBSS63LT1G的技术资料下载
NSVBSS63LT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVBSS63LT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
系列: -
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 100V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 2.5mA,25mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 30 @ 25mA,1V
功率 - 最大值: 225mW
频率 - 跃迁: 95MHz
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
器件封装: SOT-23-3(TO-236)
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