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NSVEMT1DXV6T5G
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NSVEMT1DXV6T5G技术资料
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NSVEMT1DXV6T5G
晶体管（BJT） - 阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
原厂封装：
*
优势价格，NSVEMT1DXV6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVEMT1DXV6T5G的技术资料下载
NSVEMT1DXV6T5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVEMT1DXV6T5G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
系列: -
晶体管类型: 2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500pA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值: 500mW
频率 - 跃迁: 140MHz
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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