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NSVMMUN2233LT3G
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NSVMMUN2233LT3G技术资料
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NSVMMUN2233LT3G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
原厂封装:
*
优势价格,NSVMMUN2233LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVMMUN2233LT3G的技术资料下载
NSVMMUN2233LT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVMMUN2233LT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
系列: -
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 4.7k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 246mW
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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