安森美代理商

提供ON安森美公司半导体芯片的即时报价、快速出货

| NSVMUN5211DW1T3G | NSVMUN5211DW1T3G价格 | NSVMUN5211DW1T3G技术资料 |

NSVMUN5211DW1T3G的图片

NSVMUN5211DW1T3G

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363

原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

优势价格，NSVMUN5211DW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NSVMUN5211DW1T3G的技术资料下载

电话询问价格

NSVMUN5211DW1T3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NSVMUN5211DW1T3G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS 2NPN PREBIAS 50V SOT363

系列: -

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 10k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 35 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装

ON安森美封装: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

想获取NSVMUN5211DW1T3G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

了解更多ON安森美芯片的报价及技术资料

NSVMUN5113DW1T3G

晶

NSVMUN5113DW1T3G

单

NSVMUN5132T1G

EMI/RFI滤波器

CM1690-06DE

单端场效应管

MTB75N05HDT4

单二极管整流器

1N5407RL

热管理芯片

ADT7461ARZ

ON代理商的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格

国内知名的从事ON安森美芯片销售的安森美一级代理商，一手货源，大小批量出货