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NSVMUN5316DW1T1G
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NSVMUN5316DW1T1G技术资料
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NSVMUN5316DW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
原厂封装:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
优势价格,NSVMUN5316DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NSVMUN5316DW1T1G的技术资料下载
NSVMUN5316DW1T1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NSVMUN5316DW1T1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
系列: -
晶体管类型: 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 4.7k
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: -
功率 - 最大值: 250mW
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
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