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NTB65N02RG
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NTB65N02RG技术资料
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NTB65N02RG
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
原厂封装:
D2PAK
优势价格,NTB65N02RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTB65N02RG的技术资料下载
NTB65N02RG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTB65N02RG
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):65A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1330pF @ 20V
功率 - 最大值:1.04W
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
器件封装:D2PAK
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