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NTD4860NA-1G
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NTD4860NA-1G技术资料
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NTD4860NA-1G
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
原厂封装:
I-Pak
优势价格,NTD4860NA-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD4860NA-1G的技术资料下载
NTD4860NA-1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTD4860NA-1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 25V 65A IPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10.4A(Ta),65A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1308pF @ 12V
功率 - 最大值:1.28W
安装类型:通孔
ON安森美封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
器件封装:I-Pak
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