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NTD4863N-35G
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NTD4863N-35G技术资料
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NTD4863N-35G
单端场效应管
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK
原厂封装:
I-Pak
优势价格,NTD4863N-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTD4863N-35G的技术资料下载
NTD4863N-35G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTD4863N-35G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.2A(Ta),49A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):990pF @ 12V
功率 - 最大值:1.27W
安装类型:通孔
ON安森美封装:TO-251-3 短截引线,IPak
器件封装:I-Pak
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