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NTD4979N-35G的图片

NTD4979N-35G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

原厂封装：I-Pak

优势价格，NTD4979N-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTD4979N-35G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTD4979N-35G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.4A（Ta），41A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：837pF @ 15V

功率 - 最大值：1.38W

安装类型：通孔

ON安森美封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

器件封装：I-Pak

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