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NTD5865N-1G的图片

NTD5865N-1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK

原厂封装：DPAK-3

优势价格，NTD5865N-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTD5865N-1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTD5865N-1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 34A 18MOHM DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：43A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1261pF @ 25V

功率 - 最大值：52W

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

器件封装：DPAK-3

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