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NTHD4N02FT1
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NTHD4N02FT1技术资料
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NTHD4N02FT1
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
原厂封装：
ChipFET
优势价格，NTHD4N02FT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTHD4N02FT1的技术资料下载
NTHD4N02FT1的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTHD4N02FT1
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A（Tj）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 10V
功率 - 最大值：910mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-SMD，扁平引线
器件封装：ChipFET
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