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NTLJD3115PT1G的图片

NTLJD3115PT1G

场效应管阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

原厂封装：6-WDFN

优势价格，NTLJD3115PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTLJD3115PT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：NTLJD3115PT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

系列：-

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：531pF @ 10V

功率 - 最大值：710mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：6-WDFN 裸露焊盘

器件封装：6-WDFN（2x2）

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