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NTLJD3181PZTBG
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NTLJD3181PZTBG技术资料
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NTLJD3181PZTBG
场效应管阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
原厂封装：
6-WDFN
优势价格，NTLJD3181PZTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJD3181PZTBG的技术资料下载
NTLJD3181PZTBG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTLJD3181PZTBG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
系列：-
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：450pF @ 10V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：6-WDFN 裸露焊盘
器件封装：6-WDFN（2x2）
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