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NTLJD4116NT1G
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NTLJD4116NT1G技术资料
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NTLJD4116NT1G
场效应管阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
原厂封装:
6-WDFN
优势价格,NTLJD4116NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJD4116NT1G的技术资料下载
NTLJD4116NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号:NTLJD4116NT1G
制造厂家名称:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):427pF @ 15V
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装
ON安森美封装:6-WDFN 裸露焊盘
器件封装:6-WDFN(2x2)
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