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NTMFD4C20NT1G的图片

NTMFD4C20NT1G

FET - 阵列

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 27A SO8FL

原厂封装：*

优势价格，NTMFD4C20NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NTMFD4C20NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号: NTMFD4C20NT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 27A SO8FL

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9.1A，13.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 7.3 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 970pF @ 15V

功率 - 最大值: 1.09W，1.15W

安装类型: *

ON安森美封装: *

器件封装: *

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