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NTMFD4C20NT3G
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NTMFD4C20NT3G技术资料
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NTMFD4C20NT3G
FET - 阵列
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 27A SO8FL
原厂封装:
*
优势价格,NTMFD4C20NT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFD4C20NT3G的技术资料下载
NTMFD4C20NT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NTMFD4C20NT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 27A SO8FL
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9.1A,13.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 7.3 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 970pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.09W,1.15W
安装类型: *
ON安森美封装: *
器件封装: *
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