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NTMFS4H02NFT3G
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NTMFS4H02NFT3G技术资料
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NTMFS4H02NFT3G
FET - 单
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
原厂封装：
8-PowerTDFN，5
优势价格，NTMFS4H02NFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFS4H02NFT3G的技术资料下载
NTMFS4H02NFT3G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NTMFS4H02NFT3G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 37A（Ta），193A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 40.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2652pF @ 12V
功率 - 最大值: 3.13W
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 8-PowerTDFN，5 引线
器件封装: 5-DFN，8-SO 扁引线（5x6）
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