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NTMFS5C612NLT1G

ON图标
FET - 单
制造厂商:安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
原厂封装:8-PowerTDFN,5
优势价格,NTMFS5C612NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTMFS5C612NLT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
  • ON安森美标准型号: NTMFS5C612NLT1G
  • 制造厂家名称: ON Semiconductor
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 36A(Ta),235A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 91nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 6660pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 3.8W
  • 安装类型: 表面贴装
  • ON安森美封装: 8-PowerTDFN,5 引线
  • 器件封装: 5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
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