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NTMFS6B05NT1G
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NTMFS6B05NT1G技术资料
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NTMFS6B05NT1G
FET - 单
制造厂商:
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
原厂封装:
8-PowerTDFN,5
优势价格,NTMFS6B05NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFS6B05NT1G的技术资料下载
NTMFS6B05NT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号: NTMFS6B05NT1G
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 16A(Ta),104A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3100pF @ 50V
功率 - 最大值: 3.3W
安装类型: 表面贴装
ON安森美封装: 8-PowerTDFN,5 引线
器件封装: 5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
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