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NTMSD6N303R2技术资料
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NTMSD6N303R2
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
原厂封装：
8-SOIC
优势价格，NTMSD6N303R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMSD6N303R2的技术资料下载
NTMSD6N303R2的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTMSD6N303R2
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
系列：FETKY?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 24V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
器件封装：8-SOIC N
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